중국은 메모리 반도체(DRAM·NAND)를 어떻게 이렇게 빨리 따라잡았나: 경로별 기여와 증거 등급 (2) DRAM(상): 매출 세계 4위 창신메모리를 키운 허페이 돈과 가려진 장비

기준일: 2026-10-02

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• 이 글은 중국 메모리 반도체 추격에 대한 관측과 설명이다. 특정 종목·펀드·상장지수펀드의 매수·매도·비중을 권하지 않는다.
• 데이터 기준일은 2026-10-02이며 그 이후의 변동은 반영되지 않았다.

본 자료는 공개 통계와 연구 관측에 기반한 정보 제공 목적입니다. 특정 증권·펀드·암호화폐·부동산의 매수·매도·보유를 권유하지 않으며 투자 손실에 대해 책임지지 않습니다. 의사결정은 독자 본인의 판단과 필요 시 전문가 상담에 따르십시오. 이 글은 「중국은 메모리 반도체(DRAM·NAND)를 어떻게 이렇게 빨리 따라잡았나: 경로별 기여와 증거 등급」 10편 중 2편입니다.

• 1. 배경: 중일 합작 DRAM 회사 화훙NEC 실패에서 2016년 세 회사 설립까지
• 2. DRAM(상): 매출 세계 4위 창신메모리를 키운 허페이 돈과 가려진 장비
• 3. DRAM(하): 경쟁사 출신 인력·키몬다 특허·자체 연구개발
• 4. NAND(상): 출하 3위권 양쯔메모리와 2022년 수출통제 뒤 들어온 국가 기금
• 5. NAND(하): 대만 수색 보도·스팬션 계약·하이브리드 본딩 특허
• 6. 추격 실재론 논거: 원문과 맞춰 본 28개
• 7. 합법 인수라는 다른 길: BOE와 하이디스
• 8. 창신메모리·양쯔메모리 대조: 경로 증거와 수출통제 명단 하나로 갈린 규제(회사 이름을 거는 규제 기준)
• 9. 반론 다섯 자리: 가격 효과·푸젠진화 무죄·단속 통계·자기 신고·경로 밖 조건
• 10. 결론: 다섯 경로는 확인되나 크기는 미결인 중국 메모리 추격

📑 목차

• 1. 창신메모리: 허페이·베이징 12인치 공장 셋에서 DRAM을 만드는 회사
• 2. 매출 점유율: 2025년 4분기 7.67%로 세계 4위(Omdia 집계)
• 3. 기술 세대: 제4세대까지 양산하고 제2세대는 건너뛴 공정 이력
• 4. 생산능력: 투자설명서에 없는 월 웨이퍼 숫자
• 5. 제품 구성: 모바일용 3분의 2에 HBM 0건
• 6. 실적 궤적: 2025년 매출 617.99억 위안과 처음 기록한 흑자
• 7. 경로1(자금): 보도상 대부분 허페이 돈이었던 창업 자금과 창업 3년 4개월 뒤에야 생긴 국가 기금(대기금 2기)
• 8. 경로2(장비): 설비 2,257억 위안은 보이나 공급사는 가려진 장비
• 9. 결론: 투입 금액과 순서까지 보이는 돈과 투입 금액만 보이는 장비

한 줄 요약: 창신메모리는 시장조사기관 Omdia 집계로 2025년 4분기 매출 기준 세계 4위 DRAM 회사가 되었고 그해 처음 흑자를 기록했다. 다만 제품의 3분의 2가 모바일용이고 인공지능 서버용 HBM은 공시 어디에도 없다. 이 회사를 키운 돈은 지방정부가 먼저 넣었고 국가 기금인 대기금 2기는 창업 3년 4개월 뒤에야 생긴 기금이라 그 뒤에 들어왔다. 정책은행 대출과 지방 국유기업 보증은 투자설명서가 다루는 2023~2024년 두 해 적자 구간이 시작될 때 이미 깔려 있었다. 공장 설비는 매출의 3.7배 규모로 확인되지만 어느 나라 어느 회사에서 샀는지는 공시에서 지워져 있다.

1. 창신메모리: 허페이·베이징 12인치 공장 셋에서 DRAM을 만드는 회사

창신메모리(長鑫, 영문 약칭 CXMT)는 2016년 6월 안후이성 허페이에서 설립된 DRAM 회사다. DRAM은 전원이 꺼지면 내용이 지워지는 대신 빠르게 읽고 쓰는 메모리로, 컴퓨터와 스마트폰이 지금 실행 중인 데이터를 올려 두는 부품이다. 창신메모리는 2019년 9월 자체 설계한 8기가비트 DDR4 제품을 내놓으며 회사 표현으로 중국 대륙 DRAM의 「0에서 1」을 만들었고 2026년 7월 상하이증권거래소의 기술기업 전용 시장인 커촹반에 상장했다. 창신메모리는 허페이와 베이징 두 곳에 12인치(지름 300mm) 웨이퍼 공장 세 개를 두고 있다. 웨이퍼는 칩을 새기는 실리콘 원판이고 공장의 생산능력은 한 달에 이 원판을 몇 장 넣느냐로 센다.

이 장의 숫자는 대부분 창신메모리가 상장 전에 거래소에 낸 투자설명서(2026년 5월 17일 작성, 370쪽)에서 나온다. 투자설명서는 주주·재무·사업·위험요인을 법적 책임을 지고 적는 증권 공시 문서다. 회계법인 감사를 거친 숫자가 대부분이지만 「기술이 어디서 왔나」 같은 항목은 회사가 스스로 채우는 칸이라 다른 자료와 맞대 봐야 한다.

2. 매출 점유율: 2025년 4분기 7.67%로 세계 4위(Omdia 집계)

창신메모리가 얼마나 따라잡았는지는 하나의 숫자로 답할 수 없어서 네 가지로 나눠 본다. 첫째는 세계 시장에서 차지하는 몫인 점유율이고 둘째는 회로를 얼마나 촘촘하게 새기나를 가리키는 기술 세대다. 셋째는 한 달에 웨이퍼를 몇 장 넣을 수 있나를 가리키는 생산능력이고 넷째는 비싼 제품을 얼마나 파나를 가리키는 제품 구성이다.

먼저 답을 적으면 창신메모리는 Omdia 집계로 2025년 4분기 DRAM 매출 세계 4위다. TrendForce도 2026년 1분기 값으로 따로 4위를 매겼지만 기관과 분기가 달라 두 값은 서로를 확인해 주지 않는다. 가장 최근(2026년 2분기) 매출 점유율은 TrendForce와 Counterpoint에서 각각 9.5%와 10%다. 선두 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)와의 거리는 같은 분기 값으로 보면 2026년 1분기 TrendForce 기준 창신메모리 7.6% 대 세 회사 합계 89.7%다.

투자설명서는 시장조사기관 Omdia의 자료를 인용해 「2025년 4분기 DRAM 매출 기준으로 창신메모리의 세계 시장 점유율이 7.67%까지 올랐고 세계 4위·중국 1위」라고 적는다. 같은 문서는 같은 자리에 2025년 연간 기준 선두 3사의 점유율도 적었다. 삼성전자는 33.96%였고 SK하이닉스는 34.48%였으며 마이크론은 23.41%였다. 이 글은 이 네 값 가운데 창신메모리의 7.67%와 「세계 4위」만 쓴다. 세 회사의 값은 2025년 한 해 값이고 7.67%는 2025년 4분기 한 분기 값이라 넷은 같은 시장을 나눈 조각이 아니다. 「세계 4위」라는 순위는 이 네 값을 견줘 나온 것이 아니라 Omdia가 2025년 4분기 매출로 따로 매긴 순위를 투자설명서가 옮긴 것이다. 그래서 회사 공시에 실렸어도 민간 추정의 세기다.

「설립 9년 만의 4위」를 유례없는 속도라고 부를 수 있는지는 DRAM에 늦게 들어와 상위권에 오른 회사 하나와 대 보면 가늠할 수 있다. 그런 회사로 삼성전자가 있다. 삼성전자는 1983년 64킬로비트 DRAM을 개발해 DRAM에 들어갔고 약 9년 뒤인 1992년 세계 최대 DRAM 점유율에 올랐다. 이 비교로 창신메모리와 삼성전자 가운데 누가 더 빨랐는지는 가르지 않는다. 출발점이 삼성전자는 제품 개발이고 창신메모리는 회사 설립이며 도달점이 삼성전자는 1위이고 창신메모리는 4위로 달라서다. 이 비교가 보여 주는 것은 하나다. 앞서 늦게 들어온 회사도 DRAM 상위권에 닿기까지 비슷한 햇수가 걸린 적이 있다. 이것만으로도 「9년」이라는 햇수를 전례 없는 속도의 근거로 쓸 수는 없다는 데까지는 말할 수 있다.

기관마다 집계 방식이 달라 다른 기관의 값은 Omdia 값과 견주지 않고 따로 적는다. 시장조사기관 TrendForce는 2026년 1분기 매출 기준 창신메모리 점유율을 7.6%로 적고 순위를 4위로 적었다. 같은 분기 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 세 회사 합계는 89.7%로 적었다. 즉, 세계 DRAM 매출 100원 가운데 약 90원을 세 회사가 가져가고 창신메모리가 약 8원을 가져가는 구도다. TrendForce는 2026년 9월 보도에서 2026년 2분기 창신메모리 점유율을 9.5%로 적었다. 시장조사기관 Counterpoint의 분기 매출 점유율 표에서 창신메모리는 2025년 2분기 4%에서 2026년 2분기 10%로 올랐다(2025년 4분기 값은 8%다). 표 주석에는 HBM을 넣었는지가 적혀 있지 않다. HBM을 넣었는지가 중요한 까닭은 이 표에서 HBM 매출이 가장 큰 SK하이닉스의 몫이 1년 사이 39%에서 25%로 줄었기 때문이다. HBM을 넣은 표라면 그 감소를 범용 DRAM 값이 HBM보다 빨리 오른 결과로 읽을 여지가 생기고 그렇다면 창신메모리 몫의 상승에도 가격 효과가 섞인다. 그래서 이 글은 이 표를 창신메모리 점유율이 올랐는지 내렸는지를 보는 데만 쓰고 결론은 감사받은 매출로 받친다.

매출 점유율과 물량 점유율은 다른 숫자다. Counterpoint는 2026년 6월 비트 출하 기준으로 창신메모리가 세계 DRAM의 약 9%를 차지한다고 적었다. 2026년 상반기는 DRAM 가격이 크게 오른 시기였다. 그래서 2026년 매출 점유율 상승 가운데 얼마가 더 많이 판 결과이고 얼마가 비싸게 판 결과인지는 분기 단위로 나눌 수 없다. 한 해 단위로는 투자설명서의 제품별 판매 분석표에서 2025년 DDR 계열 판매량이 전년보다 282.22% 늘었고 평균 단가는 61.00% 올랐다. 적어도 2025년 DDR 계열에서는 물량 증가가 가격 상승보다 훨씬 컸다.

아래 표에서 이 절의 답으로 적는 값은 둘이다. 순위는 Omdia의 「세계 4위」(2025년 4분기)이고 가장 최근 점유율은 2026년 2분기 매출 기준 9.5%(TrendForce)와 10%(Counterpoint)다. 나머지 값은 점유율이 오른 방향과 각 값의 출처를 보이려고 함께 적었다.

값	기관	기준	시점
4%	Counterpoint	매출	2025년 2분기
7.67%	Omdia(투자설명서 인용)	매출	2025년 4분기
8%	Counterpoint	매출	2025년 4분기
7.6%	TrendForce	매출	2026년 1분기
9.5%	TrendForce	매출	2026년 2분기
10%	Counterpoint	매출	2026년 2분기
약 9%	Counterpoint	비트 출하	2026년 6월 발표 글의 한 문장(분기 값 아님)

3. 기술 세대: 제4세대까지 양산하고 제2세대는 건너뛴 공정 이력

창신메모리는 자기 공정을 세대 번호로 부른다. 공정 세대는 회로를 얼마나 촘촘하게 새기느냐를 가리키는 이름표인데, 회사마다 같은 숫자가 같은 물건을 뜻하지 않아 회사 안의 순서로 읽는다. 투자설명서는 「제1세대부터 제4세대 공정 플랫폼까지 양산을 완료했다」고 적는다. 그런데 같은 문서의 핵심기술 표를 보면 현재 상태가 다르다. 제1세대는 「반복 개선을 마치고 웨이퍼 투입을 중단」한 상태이고 제3세대와 제4세대가 지금 양산 중이며 제5세대는 연구개발 단계다. 두 서술은 모순이 아니다. 앞의 것은 지금까지 도달한 이력이고 뒤의 것은 현재 상태다.

표에는 제2세대가 없다. 370쪽 전문에서 「제2세대」라는 말 자체가 한 번도 나오지 않는다. 회사는 자기 개발 방식을 「세대 건너뛰기 연구개발(跳代研發)」이라고 부르며 이것으로 기술 혁신을 앞당겼다고 적는다. 제2세대가 표에서 빠진 이유를 회사가 따로 설명하지는 않았다.

반도체 분해 분석 회사 TechInsights는 중국 시중에서 팔리는 메모리 모듈에서 창신메모리 제4세대 DDR5 칩을 확인했다. 발표가 아니라 시장에 나온 실물이라는 뜻이다. 같은 실물을 놓고 한 분석가는 창신메모리 DDR5 칩의 면적이 약 67제곱밀리미터로 같은 용량의 삼성전자 제품보다 약 40% 크다고 적었다. 칩이 크면 웨이퍼 한 장에서 나오는 칩 수가 줄어 원가가 올라간다. 시장조사기관 TrendForce는 제4세대 공정으로의 전환이 제품 품질과 생산량을 크게 개선했다고 평가했다.

4. 생산능력: 투자설명서에 없는 월 웨이퍼 숫자

생산능력은 네 가지 가운데 원문으로 가장 덜 확인되는 칸이다. 투자설명서는 「허페이·베이징에 12인치 DRAM 공장 3개, 생산능력 규모 중국 1위·세계 4위」라고만 적고 월 몇 장을 넣는지는 적지 않았다. 「월 생산능력」이라는 말은 370쪽에 한 번도 나오지 않는다. 시장조사기관이 내놓는 월 웨이퍼 숫자를 회사 공시로 맞춰 볼 길이 없다는 뜻이다. 웨이퍼 장수는 손익 민감도 분석표 하나에만 나온다. 이 표는 월 2만~3만 장 늘거나 줄 때 이익이 어떻게 변하는지 증감분만 계산했다.

대신 공장을 얼마나 꽉 돌렸는지는 나온다. 가동률은 생산설비가 낼 수 있는 최대 생산량 대비 실제 생산량의 비율로, 공장이 쉬지 않고 돌았는지를 보여 준다. 창신메모리의 가동률은 2023년 87.06%에서 2024년 92.46%를 거쳐 2025년 95.73%로 올랐다. 같은 표에는 만든 것 가운데 얼마를 팔았나도 나온다. 판매량을 생산량으로 나눈 이 비율(중국 공시 용어로 산판율)은 2023년 99.45%에서 2024년 97.94%를 거쳐 2025년 90.67%로 내렸다. 두 비율은 보는 곳이 다르다. 가동률은 공장을 얼마나 돌렸는지를 보고 산판율은 만든 것이 얼마나 팔렸는지를 본다. 2025년에는 거의 최대로 돌렸지만 만든 것의 9% 남짓은 그해 팔리지 않고 남았다는 뜻이다.

시장조사기관들이 내놓는 월 웨이퍼 투입량 추정은 값끼리 시점과 기준이 달라 하나로 모이지 않는다.

5. 제품 구성: 모바일용 3분의 2에 HBM 0건

창신메모리 제품 구성의 3분의 2는 스마트폰용이다. 그림에서 2025년 제품 매출(612.75억 위안)의 66.43%(약 407억 위안)가 스마트폰용 저전력 DRAM인 LPDDR 계열이고 31.87%가 PC·서버용 DDR 계열이다. 두 계열을 더하면 98.30%이고 나머지 1.70%는 두 계열 밖의 매출이다. 2024년에는 LPDDR 비중이 82.74%였고 PC·서버용 DDR 비중은 13.26%였다. 한 해 사이 13.26%에서 31.87%로 약 2.4배 커졌다.

「중국이 구형 DDR4를 싸게 쏟아낸다」는 흔한 이야기와 반대 방향의 문장도 투자설명서 각주에 있다. 「2024년 말 이래 창신메모리 자체 DDR4 제품은 생산을 중단했다.」

가장 비싼 구간은 비어 있다. HBM(고대역폭 메모리)은 DRAM 칩 여러 장을 수직으로 쌓아 데이터 통로를 넓힌 제품으로, 인공지능 서버의 연산 칩 바로 옆에 붙는다. 시장조사기관 Counterpoint의 전망으로는 2026년 DRAM 산업 전체 매출의 41%를 이 HBM이 차지한다. 창신메모리 투자설명서 370쪽에는 「HBM」이라는 낱말이 한 번도 나오지 않는다. 서버·모바일·PC 세 가지 제품 비교표에도 HBM 행이 없고 상장 자금을 쓸 세 사업(생산라인 개조 75억 위안, DRAM 기술 고도화 180억 위안 가운데 130억 위안, 차세대 기술 연구 90억 위안)에도 HBM이라는 이름의 사업은 없다. 정리하면 공시에는 HBM 매출이 나오지 않는다. 다만 공시에 없다는 것이 개발을 안 한다는 뜻은 아니다. HBM 시제품을 고객에게 평가용으로 공급했다는 보도도 있다. 다만 보도끼리 대상 제품의 세대와 수율이 엇갈려 그 수치는 확정되지 않는다(9편).

6. 실적 궤적: 2025년 매출 617.99억 위안과 처음 기록한 흑자

창신메모리의 매출은 3년 사이 6.8배가 되었고 2025년 처음 흑자로 돌아섰다. 영업수익은 2023년 90.87억 위안에서 2024년 241.78억 위안을 거쳐 2025년 617.99억 위안으로 늘었다. 2025년 매출을 1달러=7.1위안으로 옮기면 약 87억 달러로, 마이크론의 2025 회계연도(2024년 9월~2025년 8월) 매출 373.78억 달러의 4분의 1이 안 된다. 순이익은 두 가지로 적힌다. 창신메모리는 자회사 가운데 일부를 다른 주주와 함께 가지고 있어서 자회사 이익을 모두 합친 값과 그 가운데 창신메모리 주주에게 돌아가는 몫이 따로 나오기 때문이다. 자회사까지 합친 그룹 전체의 순이익은 2023년 -192.25억 위안과 2024년 -90.51억 위안의 적자를 지나 2025년 71.44억 위안으로 처음 흑자로 돌아섰다. 이 가운데 창신메모리 모회사의 주주에게 돌아가는 몫(지배주주 몫)은 2023년 -163.40억 위안과 2024년 -71.45억 위안의 적자를 지나 2025년 18.75억 위안이 되었다. 나머지는 자회사에 함께 출자한 다른 주주의 몫이다. 두 값 모두 2025년에 처음 흑자로 돌아섰다. 이 글에서 이름 없이 창신메모리의 「순이익」 「흑자」라고 하면 그룹 전체 값(2025년 71.44억 위안)이다. 지배주주 몫을 쓰는 자리에는 언제나 「지배주주 몫」이라는 이름을 붙인다. 그런 자리는 둘이다. 양쯔메모리와 나란히 놓는 자리(4편)와 2026년 분기·반기 값이다. 흑자는 그 한 해의 이익이고 지난 손실은 따로 쌓여 남는다. 2025년 순이익 71.44억 위안은 바로 앞 두 해 적자(약 283억 위안)의 4분의 1에 그쳐 지난 손실을 다 메우지 못했다. 그래서 설립 뒤 쌓인 손실 가운데 아직 이익으로 메우지 못한 금액이 2025년 말 기준 366.50억 위안 남아 있다. 회계에서는 이 금액을 「미처리 결손금」이라 부른다.

2026년 1분기는 더 가팔랐다. 영업수익 508.00억 위안으로 전년 같은 분기(62.02억 위안)보다 719.13% 늘었고 지배주주 몫 순이익은 247.62억 위안으로 1,688.30% 늘었다. 이 분기는 DRAM 가격이 크게 오른 때였다. 투자설명서 스스로도 이 실적이 지속되지 않을 수 있다고 경고한다.

상장 뒤 처음 낸 2026년 반기보고서(2026년 8월 28일 공시)에서 상반기 영업수익은 1,503.10억 위안으로 전년 같은 기간보다 873.64% 늘었고 지배주주 몫 순이익은 776.05억 위안이었다. 반기 매출이 2025년 한 해 매출의 2.4배다. 회사는 증가 원인으로 「세계 DRAM 시장 공급 부족으로 이번 기간 제품 가격이 오르고 판매 수량이 크게 늘었다」고 직접 적었다. 같은 보고서에서 매출 대비 연구개발 투입 비율은 전년 같은 기간 23.71%에서 4.56%로 내렸다. 이 하락은 연구개발을 줄였다기보다 매출이 훨씬 빨리 늘어난 결과로 읽힌다. 반기보고서에도 「HBM」이라는 낱말은 나오지 않는다.

7. 경로1(자금): 보도상 대부분 허페이 돈이었던 창업 자금과 창업 3년 4개월 뒤에야 생긴 국가 기금(대기금 2기)

창신메모리를 키운 돈은 투입 금액이 원문으로 확인된다. 대기금 2기가 기금이 생긴 2019년 10월 이후에 들어왔다는 경계는 원문으로 확인된다. 허페이시 쪽 돈이 첫 공장의 대부분을 댔다는 것은 보도 둘에 나온다. 다섯 경로(자금과 장비와 인력과 인수·라이선스와 자체 연구개발) 가운데 가장 단단한 칸이다. 이 절에서 결론에 쓰이는 것은 둘이다. 누가 먼저 돈을 넣었나와 적자 구간을 무엇이 받쳤나(지분과 대출과 보증)다. 세제와 보조금과 초과 조달은 그 뒤의 혜택이라 규모와 빈칸만 적는다.

경로마다 그것을 받치는 자료가 얼마나 강한지를 네 단계로 나눠 함께 적는다. 표의 마지막 열은 네 단계를 한 글자로 줄인 약칭이고 A가 가장 세고 D가 가장 약하다.

증거의 세기	뜻	이 장의 예	한 글자 약칭
공식 원문	법원 기록·거래소 공시·관보·의회 보고서처럼 공식 기관이 낸 원문을 직접 열어 확인한 것. 계약 당사자가 직접 낸 발표는 그 계약이 있었다는 사실에 한해 포함한다	창신메모리 투자설명서의 주주표	A
보도 둘 이상	서로 다른 매체 둘 이상이 같은 값을 말하는 것	(이 장에서는 해당 값 없음)	B
보도 한 건	보도 한 건에만 기대는 것	첫 공장 사업비 분담 보도(보도 둘이나 값이 엇갈려 「보도 둘 이상」에 들지 않음)	C
민간 추정	시장조사기관·증권사의 추정치와 집계	생산능력 추정	D

민간 추정은 혼자서 결론을 받치지 못한다. 같은 경로라도 「있었다」와 「얼마나 컸다」를 받치는 자료의 세기가 다를 수 있어 둘을 나눠 적는다. 경로마다 「이 경로가 없었다면 지금 자리에 늦게 닿았을까」도 묻는다. 「있었나」만 물으면 모든 경로가 같은 무게로 보이므로 경로가 결과에 얼마나 붙어 있었는지에 다가가려고 이 물음을 둔다. 공개 자료로 답을 직접 볼 수는 없어 그 답에 다가가는 기록 두 가지를 찾는다. 하나는 경로가 회사의 고비보다 먼저 왔다는 순서의 기록이다. 고비는 그 경로가 넘게 도와줄 수 있는 어려운 고개라서 경로마다 다르다. 돈에게 고비는 이익 없이 버텨야 하는 적자 구간과 미국 규제 같은 충격이다. 사람과 사 온 권리와 자체 연구개발에게 고비는 첫 자체 제품을 내놓는 일이다. 다른 하나는 경로가 막혔을 때 비용이나 대체가 나타난 기록이다. 순서의 기록은 「그 경로가 고비보다 앞섰다」까지만 말해 준다. 고비보다 뒤에 온 경로는 그 고비를 넘는 데 쓰였을 수 없으므로 앞섰다는 순서는 쓰였을 수 있다는 최소 조건이다. 다만 고비의 기준점이 경로마다 달라 어느 경로가 더 컸는지는 견주지 않는다.

지방정부 자금이 먼저 왔다. 투자설명서에 따르면 창신메모리의 전신은 2016년 6월 13일 허페이 소재 회사 한 곳이 단독 출자해 등록자본 1,000만 위안으로 설립되었다. 첫 공장 사업비는 약 180억 위안으로 보도되며 그 분담은 매체마다 엇갈린다. 한 매체는 메모리 설계 회사 GigaDevice가 4분의 1을 대고 허페이시가 4분의 3을 댔다고 적고 다른 매체는 허페이산업투자가 144억 위안(80%)을 투자했다고 적는다. 어느 쪽이든 첫 공장 돈의 대부분은 허페이시 쪽에서 나왔다. 2023년 3월 말 회사 순자산은 670.63억 위안까지 불어 있었다.

대기금 2기는 창업 3년 4개월 뒤에야 생겼다. 흔히 대기금이라 부르는 국가집적회로산업투자기금은 중앙정부와 국유기업이 출자해 반도체 회사에 지분을 넣는 국가 투자기금이다. 창신메모리 주주 명부에는 2019년 10월 22일 설립된 2기가 올라 있다. 2기가 창신메모리에 처음 출자한 날짜는 투자설명서에서 찾지 못했다. 그러나 기금 자체가 창신메모리 창업 3년 4개월 뒤에 생겼으므로 출자는 그보다 빠를 수 없다. 원문은 기금 설립일을 확인해 주고 출자일은 그 설립일에서 계산한 하한까지만 정해 준다. 실제 출자일은 이보다 늦을 수 있다. 투자설명서가 다루는 기간의 첫날(2023년 1월 1일)에 2기는 이미 지분 9.80%를 보유하고 있었다. 2기의 등록자본은 2,041.5억 위안이고 최대 출자자는 중국 재정부(225억 위안, 11.02%)다. 그래서 대기금 2기가 창신메모리의 주주라는 것, 곧 국가 돈이 이 회사에 들어 있다는 것은 회계 장부로 확인되는 사실이다. 같은 2기의 지분은 보고기간 첫날 9.80%에서 투자설명서 서명일(상장 전) 8.73%를 거쳐 2026년 7월 상장 뒤 7.86%로 시점마다 다르게 적혀 있다. 이 글이 지분으로 쓰는 값은 상장 전 8.73%이고 9.80%는 투자설명서가 다루는 2023~2024년 적자 두 해가 시작될 때 2기가 이미 주주였다는 순서를 보이는 데만 쓴다. 이사회에는 2기가 지명한 이사 2명이 있다. 370쪽 전문에서 「대기금」은 전부 「대기금 2기」로만 나온다. 그러니 1기(2014년 설립)와 3기(2024년 설립)는 서명일 기준 주주 명부에 없다. 1기나 3기가 다른 주주 회사를 거쳐 돈을 넣었는지는 이 문서로 확인되지 않는다.

그림 위쪽은 5% 이상 주주 다섯이다. 1대 주주는 21.67%를 가진 투자 법인 칭후이지뎬(淸輝集電)이다. 그 뒤를 창신지청(長鑫集成)이 11.71%로 잇는다. 창신지청은 허페이시 국유자산감독관리위원회가 실질 지배하는 법인, 곧 허페이시 쪽 주주다. 대기금 2기(8.73%)와 직원 지주 플랫폼(8.37%)과 안후이성 정부 소유 투자그룹(7.91%)이 차례로 따른다. 회사는 지배주주도 실질 지배인도 없다고 공시했다. 아래쪽은 허페이시 국유자산 당국이 국유 주주 표식을 붙인 주주 15명의 지분 합계 36.29%와 외국 자본 합계 1.26%다. 한 주주가 회사를 쥐고 있지는 않지만 국유 표식이 붙은 주주들을 묶으면 1대 주주보다 큰 3분의 1 넘는 덩어리가 된다. 이들이 한 방향으로 의결권을 모으는지는 공시에 없어 이 지분 구조만으로 「국가가 회사를 통제한다」고도 「통제하지 않는다」고도 말할 수 없다.

지분 말고도 돈과 혜택이 들어온 길이 셋 더 있다. 대출과 보증은 이미 들어왔고 세제는 일부만 받고 있다. 첫째는 은행 대출이다. 2025년 말 장기차입금은 1,188.25억 위안으로 비유동부채의 91.51%를 차지하고 2025년 매출의 약 1.9배에 이른다. 그 가운데 공시된 가장 큰 계약은 9개 은행이 함께 빌려준 294억 위안 공장 대출(2022년~2035년)이다. 돈을 함께 빌려준 은행들에 국가개발은행과 중국수출입은행이 들어 있다. 둘은 정부 정책 목적의 대출을 맡는 정책은행이다. 둘째는 보증이다. 창신지청과 허페이산업투자가 은행단 대출에 연대보증을 제공했다. 보증이 걸린 외화 대출 잔액은 2025년 말 4.17억 달러다. 허페이산업투자는 위탁대출로 13억 위안을 빌려주기도 했다(2023년 전액 상환). 셋째는 세제다. 창신메모리는 2024년부터 부가가치세 15% 추가공제를 이미 받고 있다. 법인세 면제는 받을 자격은 있지만 아직 받고 있지 않다. 회로 선폭 28나노 이하이고 15년 이상 운영하는 반도체 생산기업은 과세 이익이 생긴 해부터 10년간 법인세를 면제받는다. 그런데 과세 이익은 앞서 쌓인 결손을 다 메운 뒤에야 생기고 창신메모리 계열사들은 아직 결손이 남아 있다. 그래서 면제는 아직 시작되지 않았다. 결손을 다 메운 해부터 10년 동안 면제가 적용되면 그만큼 세금으로 나갈 돈이 회사에 남는다.

정부 보조금의 실액은 이 문서 본문에 없다. 손익계산서의 기타수익은 2025년 26.91억 위안이다. 재무상태표의 이연수익은 45.71억 위안이고 정부 보조금이 흔히 여기 들어간다. 그러나 370쪽 본문에는 「정부보조」라는 말이 한 번도 나오지 않고 내역 주석은 별권 재무보고서에 있다. 초과 조달분의 쓰임새는 일부만 공시되었다. 초과배정까지 합친 조달 순액은 663.10억 위안으로 계획(295억 위안)을 크게 넘었다. 회사는 2026년 9월 28일 이사회에서 초과 조달분 가운데 180억 위안을 두 사업에 쓰기로 결의했다. 130억 위안은 총사업비 241억 위안의 허페이 기술 연구개발 사업(사업비의 92.94%가 설비 구입)에 들어가고 50억 위안은 총사업비 108억 위안의 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기에 들어간다. 이 결의는 주주총회 승인을 남겨 두었고 나머지 초과 조달분의 쓰임새는 아직 공시되지 않았다.

이 돈이 없었다면 늦어졌을까? 2023년과 2024년 두 해 동안 창신메모리는 순이익 -192.25억 위안과 -90.51억 위안의 적자를 내면서 연구개발에 46.70억 위안과 63.41억 위안을 썼다. 이익이 없던 두 해에 연구개발과 공장 운영을 이어 간 돈은 이익이 아닌 곳에서 와야 했다. 원문은 그 두 해가 시작될 때 이미 잡혀 있던 재원을 적었다. 9개 은행의 294억 위안 공장 대출은 2022년부터의 계약이고 대기금 2기는 2023년 1월 1일에 이미 지분 9.80%를 갖고 있었으며 지방 국유기업의 연대보증도 은행단 대출에 걸려 있었다. 그래서 「적자 구간이 시작될 때 버틸 재원이 이미 깔려 있었다」는 순서까지는 원문이 받친다. 이 순서가 물음에 주는 답은 최소 조건이다. 재원이 적자보다 늦게 왔다면 적자를 버티는 데 쓰였을 수 없다. 재원이 먼저 깔려 있었으니 쓰였을 수 있다는 데까지는 말할 수 있다. 그 돈이 적자를 실제로 얼마나 메웠는지와 「이 돈이 없었으면 못 했다」는 기여의 크기 문제라 이 기록만으로는 정해지지 않는다.

증거의 세기: 공식 원문. 지분율과 출자자와 대출 은행단과 보증과 세제 근거가 모두 감사받은 투자설명서 원문에서 나오고 누구나 같은 문서로 다시 셀 수 있다. 빈 칸은 보조금 실액과 초과 조달분 가운데 아직 쓰임새가 정해지지 않은 부분 둘이다. 첫 공장 분담은 출처끼리 값이 엇갈리는 보도다.

8. 경로2(장비): 설비 2,257억 위안은 보이나 공급사는 가려진 장비

장비 금액은 원문으로 잰다. 창신메모리가 보유한 기계설비의 취득원가는 2,257.09억 위안으로, 2025년 매출의 약 3.7배에 이른다. 감가상각은 설비 구입비를 쓰는 기간에 걸쳐 나눠 비용으로 잡는 회계 처리다. 지금까지 비용으로 잡고 남은 장부가치는 1,692.87억 위안으로 취득원가의 75.00%다. 이 비율이 높으면 설비 대부분이 최근 몇 년 사이에 들어왔다고 읽을 수 있다. 고정자산 전체의 한 해 감가상각비는 2023년 105.55억 위안에서 2025년 246.80억 위안으로 늘었다. 2025년 고정자산 감가상각비가 매출의 약 40%에 이른 셈이다. 생산 설비는 전량 12인치 웨이퍼 라인이다.

어디서 샀는지는 가려져 있다. 투자설명서는 중대 설비 구매계약 5건의 공급사를 「공급사 J·C·G·F·K」처럼 알파벳으로만 적었다. 공급사 G와의 계약 한 건(1,676.92만 달러)만 금액이 적혀 있고 나머지 넷은 금액 없는 기본계약이다. 원재료 공급사도 같은 식으로 가렸다. 왜 가렸는지는 투자설명서에 적혀 있지 않다.

관계사 거래표에 「공급사 L」에서 2025년 17.72억 위안어치의 반도체 제조 설비와 부품을 샀다는 항목이 있고 관계 사유는 「보고기간에 창신메모리 고위 임원이 그 회사의 고위 임원을 맡았다」이다. 회사 이름은 역시 가려져 있다. 설비를 판 회사 가운데 적어도 하나는 창신메모리와 고위 임원을 함께 둔 관계사였다. 그러나 그 회사가 어느 나라 회사인지는 가려져 있어 이 틈으로도 장비의 국적은 알 수 없다. 수입 설비와 관련해 세관에 맡긴 보증금 잔액이 커서 기타 미수금이 높다는 설명도 있다. 수입 설비가 상당하다는 정황이다.

중국 전체로 넓히면 크기가 보인다. 중국은 2024년 반도체 제조설비를 443.9억 달러어치 수입했다. 수입액은 전년보다 18.1% 늘어 2년 연속 최고였다. 수입국별로는 일본산이 29.2%를 차지했고 네덜란드산이 22.0%를 차지했다. 그러나 이 숫자는 중국 전체 값이라 창신메모리 몫을 떼어 낼 수 없고 기업별 수입액은 공개되지 않는다.

미국 규제가 그은 선은 회사 이름이 아니라 공장의 기술 수준에 걸린다. 창신메모리는 수출통제 명단에 없지만 공장이 미국이 정한 기술 수준을 넘는다면 그 공장에 들일 미국 장비(HBM 생산에 쓸 장비 포함)마다 허가를 받아야 한다. 지금 미국 수출관리규정은 「몇 나노」 같은 회로 선의 굵기가 아니라 같은 면적에 저장 셀을 얼마나 빽빽하게 넣느냐로 선을 긋는다. 기준은 아래 셋이고 하나라도 넘으면 「첨단」 시설로 본다. 이 글은 이 규제를 「첨단 시설 통제」라 부른다.

기준선	선을 넘는 조건
셀 하나의 면적	0.0026제곱마이크로미터 미만
1제곱밀리미터당 저장 밀도	0.20기가비트 초과
칩 하나에 뚫는 수직 관통 전극(TSV, 칩을 쌓는 HBM에서 위아래를 잇는 구멍) 개수	3,000개 초과

창신메모리 공장의 셀 면적 값은 공개 자료에 없다. 저장 밀도는 분해 분석 회사의 측정을 옮긴 보도에 제4세대 16기가비트 DDR5 칩 기준 1제곱밀리미터당 0.239기가비트로 나와 둘째 기준선 0.20을 넘는 쪽이다. 다만 이 값은 보도로 옮겨진 2차 측정이고 상무부가 이 통제를 창신메모리 공장에 실제로 적용했는지와 허가를 받았는지는 공개되지 않았다. 흔히 인용되는 「18나노 하프피치」 기준은 2022년부터 2024년까지의 규칙에 쓰였고 지금 규정 조문에는 남아 있지 않다.

창신메모리는 미국 상무부 수출통제 명단(Entity List)에 없다. 2026년 9월 1일 기준 현행 명단 전문을 회사 이름과 옛 이름(영문 Innotron, 중문 睿力)과 영문 약칭 CXMT로 모두 찾아도 나오지 않는다. 명단에 오르면 미국산 품목 전부에 허가가 필요하고 심사가 거절 쪽으로 기우는데, 창신메모리는 그 단계까지 가지 않았다. 대신 미국 국방부의 「중국 군사기업」 명단에는 2025년부터 올라 있다. 그래서 창신메모리를 「수출통제 명단에 없는 회사」라고 부를 때 그것은 미국 규제를 전혀 받지 않는다는 뜻이 아니다. 이 글이 두 회사를 견주는 대조도 「규제를 받은 회사 대 받지 않은 회사」가 아니라 「수출통제 명단에 오른 회사 대 오르지 않은 회사」의 대조다. 수출통제 명단은 미국산 장비·부품·기술을 사는 길을 막고 국방부 명단은 미국 국방부 조달과 평판에 걸린다. 8편이 이 차이를 NAND 회사 양쯔메모리와 나란히 놓고 본다.

이 장비가 없었다면 늦어졌을까? 설비 없이는 생산이 없으니 물음은 「어떤 장비를 어디서 샀나」로 좁혀진다. 그 답이 공시에서 지워져 있어 미국 장비 접근이 창신메모리의 속도에 얼마나 기여했는지는 이 자료로 정해지지 않는다.

증거의 세기: 규모는 공식 원문이고 출처는 공개 자료에 없다. 설비의 금액은 감사받은 공시로 확정된다. 대부분이 최근에 들어왔다는 것은 장부가치 비율(75.00%)로 읽은 추정이다. 공급사의 이름과 국적은 공개 자료에 없다. 규제선 위 장비를 어떻게 들여왔는지도 없다. 그래서 장비를 어디서 샀나라는 이 절의 처음 물음에는 「공시가 지워 알 수 없다」고 답한다. 중국 전체 수입액과 미국 규제의 구조는 그 답을 바꾸지 않고 창신메모리가 미국 장비를 살 길이 규정상 어디까지 열려 있는지를 보여 줄 뿐이다.

9. 결론: 투입 금액과 순서까지 보이는 돈과 투입 금액만 보이는 장비

창신메모리는 2025년 4분기 매출 기준 세계 4위 DRAM 회사(시장조사기관 Omdia 집계)가 되었고 3년 사이 매출을 6.8배로 늘려 그해 처음 흑자를 기록했다. 하지만 매출 규모는 아직 마이크론의 4분의 1이 안 되고 제품의 3분의 2가 스마트폰용이며 DRAM에서 가장 비싼 HBM은 투자설명서에 한 줄도 없다. 생산능력은 회사가 숫자를 내놓지 않았다. 원문은 국가 기금이 들어온 때의 경계까지 확인해 준다. 창업 3년 4개월 뒤에야 생긴 대기금 2기는 창업 자금보다 늦게 합류했다. 지방정부 쪽이 첫 공장 자금의 대부분을 댔다는 것은 보도 둘에 나온다. 정책은행 대출과 지방 국유기업 보증은 투자설명서가 다루는 2023~2024년 두 해 적자 구간이 시작될 때 이미 깔려 있었다. 공장 설비는 매출의 3.7배라는 금액까지는 보이지만 그 설비를 어느 나라 어느 회사에서 샀는지는 공시가 지웠다. 그래서 창신메모리 추격에서 돈은 투입 금액과 순서까지 말할 수 있는 경로이고 장비는 투입 금액만 말할 수 있는 경로다. 어느 쪽이든 그 경로가 추격에 얼마나 기여했는지는 이 기록으로 정해지지 않는다. 사람과 사들인 권리와 자체 연구개발이 어떤 증거로 받쳐지는지는 3편에서 이어진다.

이 장의 값별 출처 상태와 증거 등급표는 부록 A에 모았다.

출처(3장)

• 长鑫科技集团股份有限公司. (2026, August 28). 2026年半年度报告. 上海证券交易所 공시(증권코드 688825). 공시 보도: https://www.nbd.com.cn/articles/2026-08-28/4563938.html
• 新浪财经. (2026, September 28). 长鑫科技拟动用180亿元超募资金投建两大核心项目 加码技术研发与后道测试产能布局. https://finance.sina.com.cn/stock/aigc/tzxm/2026-09-28/doc-initkxux9684794.shtml
• 上海证券报. (2026, August 27). 长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市超额配售选择权实施公告. https://paper.cnstock.com/html/2026-08/27/content_2260715.htm
• TrendForce. (2026, September 24). [창신메모리·양쯔메모리 증설과 중국 AI 클라우드 수요 보도, 2026년 2분기 점유율 포함]. https://www.trendforce.com/news/2026/09/24/news-cxmt-ymtc-ramp-memory-capacity-but-chinas-ai-cloud-boom-could-soak-up-new-supply-through-2027/
• 长鑫科技集团股份有限公司. (2026, May 17). 首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿）. 上海证券交易所. https://static.sse.com.cn/stock/disclosure/announcement/c/202605/002170_20260517_MGLN.pdf
• Samsung Semiconductor Newsroom. About us(1983년 64Kb DRAM 개발, 1992년 세계 최대 DRAM 점유율). https://news.samsungsemiconductor.com/global/about-us/
• TrendForce. (2026). CXMT ranked fourth among DRAM suppliers by revenue in 1Q26 with a 7.6% market share. https://x.com/trendforce/status/2081658369522208891
• TrendForce. (2026, July 24). 창신메모리 커촹반 상장 일정과 조달 규모 보도. https://www.trendforce.com/news/2026/07/24/news-chinas-dram-maker-cxmt-to-debut-jul-27-ipo-to-raise-rmb-57-9b-largest-on-star-market-since-launch/
• Counterpoint Research. (2026, September 1). Global DRAM and HBM market share: Quarterly. https://counterpointresearch.com/en/insights/global-dram-and-hbm-market-share
• Counterpoint Research 中国. (2026). 579 亿元募资完成，长鑫存储迈入 DRAM 发展新阶段. https://china.counterpointresearch.com/579-%E4%BA%BF%E5%85%83%E5%8B%9F%E8%B5%84%E5%AE%8C%E6%88%90%EF%BC%8C%E9%95%BF%E9%91%AB%E5%AD%98%E5%82%A8%E8%BF%88%E5%85%A5-dram-%E5%8F%91%E5%B1%95%E6%96%B0%E9%98%B6%E6%AE%B5/
• TechInsights. (2025). China enters 2025 with big memory breakthroughs. https://www.techinsights.com/blog/china-enters-2025-big-memory-breakthroughs
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• Damnang. (2026). Is CXMT a threat or an illusion? https://www.damnang.com/p/is-cxmt-a-threat-or-an-illusion
• 36氪. (2026). 长鑫科技IPO，复盘中国36年艰难存储路. https://www.36kr.com/p/3913301831341953
• 投资界(PEdaily). (2026, July 27). 长鑫暴涨450%，合肥国资赚回10000亿. https://news.pedaily.cn/202607/566837.shtml
• 中国机电产品进出口商会. (2025). 2024年我国半导体制造设备进口额连续第二年创新高. https://www.cccme.org.cn/news/details.aspx?id=F650BFD8BE469D6B672EC7C07302E618&classid=7685F2FA1E54A7F5&xgid=F868932F64EB7AAF
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• Office of the Federal Register. (2026, September 1). 15 CFR Part 744 부칙 4호 Entity List 전문. https://www.ecfr.gov/on/2026-09-01/title-15/subtitle-B/chapter-VII/subchapter-C/part-744
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